10.3969/j.issn.1004-3365.2003.06.016
一种适合SOI全介质隔离电路的平坦化技术
介绍了一种适合制作SOI全介质隔离电路的平坦化技术.该技术采用外延多晶硅回填隔离槽,并结合化学机械抛光,使SOI全介质隔离完成后形成的表面能达到单晶硅抛光材料的水平.该工艺适合制作某些具有特殊要求的集成电路、MEMS器件构件以及将电路和MEMS构件集成在同一硅片上的一体化加工.
SOI、多晶硅、全介质隔离、化学机械抛光、平坦化、MEMS
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TN431(微电子学、集成电路（IC）)
国家高技术研究发展计划863计划2002AA404080
2004-04-02（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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