10.3969/j.issn.1004-3365.2003.06.015
新结构MOSFET
和传统平面结构MOSFET相比,新结构MOSFET具有更好的性能(如改善的沟道效应(SCE),理想的漏诱生势垒降低效应(DIBL)和亚阈值特性)和更大的驱动电流等.文章主要介绍了五种典型的新结构MOSFET,包括平面双栅MOSFET、FinFET、三栅MOSFET、环形栅MOSFET和竖直结构MOSFET.随着MOSFET向亚50 nm等比例缩小,这些新结构器件将大有前途.
MOSFET、平面双栅MOSFET、FinFET、三栅MOSFET、环形栅MOSFET、竖直结构MOSFET
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TN432(微电子学、集成电路(IC))
2004-04-02(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共5页
527-530,533