10.3969/j.issn.1004-3365.2003.06.011
深亚微米CMOS集成电路抗热载流子效应设计
热载流子效应(HCE)、电介质击穿、静电放电,以及电迁移等失效机理,已经对VLSI电路的长期可靠性造成了极大的威胁.其中,热载流子效应是最主要的失效机理之一.影响CMOS电路热载流子效应的因素有:晶体管的几何尺寸、开关频率、负载电容、输入速率以及晶体管在电路中的位置.通过对这些因素的研究,提出了CMOS电路热载流子可靠性设计的通用准则.
热载流子效应、可靠性设计、深亚微米器件、CMOS集成电路
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TN47(微电子学、集成电路（IC）)
2004-04-02（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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