10.3969/j.issn.1004-3365.2003.06.006
铁电存储器在FPGA中应用的初步研究
提出了一种全新的基于铁电存储器FeRAM编程的非挥发FPGA思想(概念),它主要是针对基于SRAM的FPGA的掉电挥发性问题提出的.文章在采用传统2T-2C结构的铁电存储单元的基础上完成数据的编程操作,并进一步对上述单元进行了电路和时序上的调整设计,提出了在FPGA工作环境下虽破坏性读出但无需回写的铁电存储单元.通过对文中提及的两种单元电路的仿真模拟,实现了编程数据的掉电保护、上电恢复的非挥发功能,初步验证了基于FeRAM编程的非挥发FPGA思想的正确性和可行性.
存储器、铁电存储器、铁电电容、现场可编程门阵列
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TN304(半导体技术)
国家自然科学基金30206005;上海市青年科技启明星计划O2QD14009
2004-04-02（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共6页
490-494,498
