10.3969/j.issn.1004-3365.2003.06.004
n沟6H-SiC MOSFET阈值电压的温度特性模拟与分析
分析了n沟6H-SiC MOSFET的杂质不完全离化和SiO2-SiC界面存在大量界面陷阱等问题,研究了影响6H-SiC MOSFET器件阈值电压温度特性的诸因素.通过解析式计算和MEDICI软件模拟,得到了多种因素共同作用下的器件阈值电压的温度特性.研究表明,体内杂质的不完全离化、表面空间电荷层中的杂质离化程度和特定分布的界面电荷,对阈值电压的温度特性有显著的影响.
碳化硅、MOS场效应管、阈值电压、温度特性、模拟
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TN304.2+4(半导体技术)
国防科技预研基金00JS02.6.1DZ01
2004-04-02（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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