10.3969/j.issn.1004-3365.2003.06.002
SiGe HBT的速度优化设计
从理论分析角度介绍了优化SiGe异质结晶体管速度的方法.结合双板晶体管的工艺限制,介绍了SiGe HBT的基本原理,讨论了SiGe HBT的发射区/基区/集电区设计.最后,以一个100 GHz fmax和fT的HBT为例,对电路制作工艺参数进行了讨论.
SiGe器件、双极晶体管、异质结双极晶体管
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TN325+.3(半导体技术)
2004-04-02（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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