10.3969/j.issn.1004-3365.2003.05.016
温度循环对半导体集成电路气密性的影响
研究了温度循环对半导体集成电路气密性的影响,阐述了影响集成电路管壳气密性的各种因素;提出了一种摸底试验的方法;对5种集成电路管壳进行了温度循环试验,并对试验结果进行了分析.就试验的几种外壳来看,至少可以经受1000次温度循环,其气密性仍然满足要求.
温度循环、半导体、集成电路、外壳、气密性
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TN306(半导体技术)
2004-04-02（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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