10.3969/j.issn.1004-3365.2003.05.003
深亚微米PD和FD SOI MOS器件热载流子损伤的研究
研究了深亚微米PD和FD SOI MOS器件遭受热载流子效应(HCE)后引起的器件参数退化的主要差异及其特点,提出了相应的物理机制,以解释这种特性.测量了在不同应力条件下最大线性区跨导退化和阈值电压漂移,研究了应力Vg对HCE退化的影响,并分别预测了这两种器件的寿命,提出了10年寿命的0.3 μm沟长的PD和FD SOI MOS器件所能承受的最大漏偏压.
深亚微米器件、SOI、MOSFET、热载流子效应、器件退化
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TN432(微电子学、集成电路（IC）)
浙江省教育厅资助项目
2004-04-02（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共3页
377-379
