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10.3969/j.issn.1004-3365.2003.02.013

Si1-x-yGexCy合金半导体技术及其应用

引用
随着半导体材料及工艺水平的迅速发展,Si1-x-yGexCy合金材料在近年内受到了广泛重视.C组分的引入所带来的应变补偿作用,很好地解决了Si1-xGex合金中的晶格失配问题,使Si衬底上生长的外延层质量和厚度都得到相应提高,并且由于C组分所带来的能带补偿作用,使材料的光电特性也得到改进.文章综述了Si1-x-yGexCy合金的研究进展及其物理特性,并对其在FET、HBT、光电子器件等方面的应用进行了详细的阐述.

半导体材料、Si1-x-yGexCy合金、应变补偿、场效应晶体管、异质结晶体管、光电子器件

33

TN304.2+4(半导体技术)

2004-02-20(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共5页

127-131

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微电子学

1004-3365

50-1090/TN

33

2003,33(2)

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