10.3969/j.issn.1004-3365.2003.02.010
外延淀积过程中的自掺杂抑制
外延层杂质浓度是影响器件电学性能的重要参数.文章对外延淀积过程中自掺杂的产生过程进行了分析,提出了在外延淀积过程中可以通过改变气流、温度及采用背封技术、二步外延等方法来解决外延自掺杂,从而改善器件的特性参数.
外延淀积、自掺杂、杂质浓度、杂质扩散
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TN304.054(半导体技术)
2004-02-20（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共4页
118-120，123
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