10.3969/j.issn.1004-3365.2003.02.008
金属保护层改善NiSi/Si肖特基势垒均匀性的研究
用溅射-退火反应的方法制作NiSi/Si肖特基二极管,采用Ti和Co两种金属保护层结构,以提高硅化物的形成质量.对肖特基二极管反向I-V特性的测量结果表明:相对于没有保护层的样品,有保护层样品的反向电流明显减小,而且Ti保护层结构比Co保护层结构的作用更明显;没有保护层的管子和有保护层的管子具有不同的边缘特性.实验数据能够很好地用非均匀肖特基势垒输运模型拟合.提取出的参数表明,保护层结构在不同程度上有效地提高了肖特基势垒的均匀性,从而减小了肖特基二极管的反向电流;边缘特性的差异性也是由于肖特基势垒均匀性的改变而导致的.金属保护层能提高肖特基势垒的均匀性是因为保护层抑制了工艺过程中的氧污染.
肖特基接触、NiSi、肖特基二极管、肖特基势垒、非均匀性、金属保护层
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TN311+.7(半导体技术)
2004-02-20（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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