10.3969/j.issn.1004-3365.2003.02.007
一种适用于高压集成电路的新型LDMOS器件
高压集成电路是将高压器件和低压控制电路集成在同一芯片上的集成电路,高压集成电路的研究与发展,主要是高压器件、高压集成电路工艺以及设计技术的发展.文章提出了一种适用于高压集成电路的新型LDMOS器件,并对该器件结构进行了耐压分析,给出了该器件的击穿特性、等势线和电流线等模拟曲线.对不同参数模拟的曲线进行了分析和比较. 结果表明,该结构具有比较高的击穿电压,并且工艺简单,受工艺参数波动的影响较小, 不失为一种提高集成电路耐压的新途径.
高压集成电路、LDMOS、RESURF
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TN432(微电子学、集成电路（IC）)
2004-02-20（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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