10.3969/j.issn.1004-3365.2003.02.006
CMOS运算放大器电离辐照的后损伤效应
介绍了CMOS运算放大器经60Co γ辐照及辐照后在不同温度下随时间变化的实验结果,并通过对差分对单管特性和电路内部各单元电路损伤退化的分析,探讨了引起电路"后损伤"效应的原因.结果表明,由辐照感生的氧化物电荷和界面态的消长及差分对管的不匹配,是造成电路继续损伤劣化的根本原因.对于CMOS运算放大器电路,在抑制辐照感生的氧化物电荷和界面态增长的同时,改善电路间的对称性和匹配性,对提高电路的抗辐射能力是至关重要的.
CMOS线性电路、运算放大器、辐射加固、总剂量辐照、后损伤效应
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TN722.7+7;TN432(基本电子电路)
2004-02-20（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共4页
102-104，117
