10.3969/j.issn.1004-3365.2003.02.003
深亚微米SOI MOSFET低压热载流子效应研究
当器件尺寸进入深亚微米后,SOI MOS集成电路中的N沟和P沟器件的热载流子效应引起的器件退化已不能忽视.通过分别测量这两种器件的跨导、阈值电压等参数的退化与应力条件的关系,分析了这两种器件的退化规律,对这两种器件的热载流子退化机制提出了合理的解释.并模拟了在最坏应力条件下,最大线性区跨导Gmmax退化与漏偏压应力Vd的关系,说明不同沟长的器件在它们的最大漏偏压以下时,能使Gmmax的退化小于10%.
SOI、MOSFET、热载流子效应、器件损伤
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TN432(微电子学、集成电路（IC）)
浙江工业大学校科研和教改项目X32010
2004-02-20（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共4页
90-93
