10.3969/j.issn.1004-3365.2003.02.002
SiGe HBT大电流密度下的基区渡越时间模型
在考虑基区扩展效应及载流子浓度分布的基础上,建立了SiGe HBT的基区渡越时间模型.该模型既适合产生基区扩展的大电流密度,又适合未产生基区扩展的小电流密度.模拟分析结果表明,与Si BJT 相比,SiGe HBT基区渡越时间显著减小,同时表明,载流子浓度分布对基区渡越时间有较大影响.
SiGe HBT、大电流密度、基区渡越时间
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TN325+.3(半导体技术)
国家重点实验室基金99JS09.1.1DZ0104
2004-02-20（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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