10.3969/j.issn.1004-3365.2003.01.014
一种低压低功耗Flash BiCMOS SRAM的设计
设计了一种静态随机读写存储器(SRAM)的BiCMOS存储单元及其外围电路.HSpice仿真结果表明,所设计的SRAM电路的电源电压可低于3 V以下,它既保留了CMOS SRAM低功耗、高集成度的特征,又获得了双极型电路快速、大电流驱动能力的长处,因而特别适用于高速缓冲静态存储器和便携式数字电子设备的存储系统中.
BiCMOS、SRAM、VLSI、读出放大器、输入/输出电路、地址译码器
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TN433(微电子学、集成电路（IC）)
江苏省教育厅自然科学基金02KJB510005;江苏大学校科研和教改项目JDQ2001010;徐州建筑职业技术学院校科研和教改项目
2004-02-20（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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