10.3969/j.issn.1004-3365.2003.01.012
TIGBT的瞬态解析模型
提出了一种含缓冲层的沟槽绝缘栅双极晶体管(TIGBT)的瞬态解析模型.该模型不仅考虑到TIGBT的高掺杂缓冲层处于小注入状态,分析了缓冲层对TIGBT关断特性的影响,而且还考虑了槽底电子积累层引起的基区电导调制作用的影响.通过与数值模拟结果的比较,表明该模型能准确地描述TIGBT瞬态时的物理特性.
沟槽绝缘栅双极晶体管、瞬态解析模型、关断特性、导通特性
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TN322+.8(半导体技术)
清华大学校科研和教改项目ME9905
2004-02-20（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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