10.3969/j.issn.1004-3365.2003.01.008
Pt/6H-SiC肖特基势垒二极管特性分析
采用直流磁控溅射法、Pt作肖特基接触的工艺,制作了N型6H-SiC肖特基势垒二极管,对肖特基势垒二极管的电学特性及温度特性进行了研究.实验结果表明,该器件具有很好的整流特性,反向电流小、击穿电压高,且在高温下器件波动很小,能够稳定地工作,适合于在高温(600 °C)等恶劣环境下长期可靠地工作.
碳化硅、肖特基势垒二极管、宽禁带半导体、直流磁控溅射
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TN304.2+4;TN722.3+4(半导体技术)
湖北省自然科学基金2000J158
2004-02-20（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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