10.3969/j.issn.1004-3365.2003.01.005
体硅CMOS射频集成电路中高Q值在片集成电感的实现
制作高Q值在片集成电感一直是体硅CMOS射频集成电路工艺中的一大难点,文章讨论和分析了体硅RF IC工艺中提高在片集成电感Q值的几种常用方法,这些方法都与CMOS工艺兼容.
在片集成电感、射频集成电路、品质因素、铜互连、低k介质
33
TN405(微电子学、集成电路(IC))
2004-02-20(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共4页
15-18
10.3969/j.issn.1004-3365.2003.01.005
在片集成电感、射频集成电路、品质因素、铜互连、低k介质
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TN405(微电子学、集成电路(IC))
2004-02-20(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”
国家重点研发计划资助 课题编号:2019YFB1406304
National Key R&D Program of China Grant No. 2019YFB1406304
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