10.3969/j.issn.1004-3365.2002.06.014
低压触发可控硅结构在静电保护电路中的应用
对LVTSCR(Low Voltage Triggered Silicon Controlled Rectifier)结构在深亚微米集成电路中的抗静电特性进行了研究.实验结果表明,LVTSCR结构的参数,如NMOS管沟道长度、P-N扩散区间距和栅极连接方式等,都对LVTSCR结构的静电保护性能有影响.利用优化的LVTSCR结构,获得了6000V以上的ESD失效电压.
静电保护、低压触发可控硅、深亚微米IC、CMOS工艺
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TN432(微电子学、集成电路（IC）)
2004-02-20（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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