10.3969/j.issn.1004-3365.2002.06.013
LDD NMOS器件热载流子退化研究
对LDD(轻掺杂漏)NMOS器件的热载流子退化特性进行了研究,发现LDD NMOS器件的退化呈现出新的特点.通过实验与模拟分析,得出了热载流子应力下LDD NMOS退化特性不同于常规(非LDD)NMOS的物理机制.并通过模拟对此观点进行了验证.
轻掺杂漏、MOS器件、热载流子退化、界面态
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TN386(半导体技术)
2004-02-20（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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