10.3969/j.issn.1004-3365.2002.06.011
Pt/Ti/Si三元固相反应生长PtSi过程的实验研究
采用离子溅射方法在硅衬底上淀积Pt/Ti/Si多层结构,研究了不同退火温度(500℃和800℃)、相同退火时间(30 min)固相反应形成PtSi薄膜的工艺.通过XRD、AES等测试方法,研究了原子的互扩散和反应过程.结果表明,在500℃退火时,由于Pt-Ti-O-Si过渡层的存在,使得Pt和Si反应不够充分,生成物中有部分Pt2Si存在,而800℃退火时,由于过渡层Ti与Si反应生成TiSi2,消耗了大量的Si,使得Pt与Si反应也不够充分.根据上述实验,给出了Pt/Ti/Si三元固相反应在不同退火温度下应采取的工艺务件.
PtSi薄膜、离子溅射、导电薄膜、固相反应、炉退火
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TN304.1+2(半导体技术)
2004-02-20（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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