10.3969/j.issn.1004-3365.2002.06.010
一种通过光刻工艺实现细线宽的厚膜布线技术
采用传统厚膜布线工艺通常可实现150 μm的线宽,而达到50 μm以下的线宽是非常困难的.文章介绍了一种利用光刻技术结合厚膜工艺实现10~50 μm线宽的技术,并给出了该项技术在实际产品中的应用实例.
混合集成电路、厚膜工艺、光刻、平面螺旋电感
32
TN405.97(微电子学、集成电路(IC))
2004-02-20(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共3页
435-437