10.3969/j.issn.1004-3365.2002.06.008
Si3N4栅MOS器件的隧穿电流模拟
随着MOS器件尺寸按比例缩小到亚100 nm时代,栅绝缘层直接隧穿(Direct Tunnel-ing,DT)电流逐渐增大.使用Si3N4材料作为栅介质,利用其介电常数高于SiO2的特性,可以在一定时期内有效地解决隧穿电流的问题.文章在二维器件模拟软件PISCES-II中首次添加了模拟高k材料MOS晶体管的器件模型,并对SiO2和Si3N4栅MOS晶体管的器件特性进行了模拟比较.
器件模拟、MOS器件、隧穿电流、氮化硅
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TN386(半导体技术)
国家重点基础研究发展计划973计划GG200036502
2004-02-20（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共3页
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