10.3969/j.issn.1004-3365.2002.06.006
对称薄膜双栅nMOSFET模型的研究
利用对称薄膜双栅MOSFET在阈值电压附近硅膜中的常电位近似,以硅膜达到体反型时的泊松方程为基础,得到一个有效的双栅nMOS器件模型.考虑到薄膜双栅SOI器件的体反型特性,阈值电压处的表面势不再受限于传统的强反型界限(指2倍费米势),并运用跨导最大变化(TC)法对此模型进行分析,得到阈值电压和阈值电压处表面势的详细表达式;另外,还演示了薄膜双栅MOSFET的近乎完美的亚阈值斜率特性,其数值模拟结果与文献实验结果吻合较好.
薄膜双栅、MOSFET、器件模型、跨导最大变化法、强反型界限
32
TN386(半导体技术)
2004-02-20（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共4页
419-422
