10.3969/j.issn.1004-3365.2002.06.002
CMOS射频集成电路中器件模型的研究
采用硅材料CMOS工艺制造的射频集成电路具有低功耗、低成本和容易集成的优点.文章讨论了CMOS射频集成电路设计和制造中起关键作用的MOSFET高频模型和螺旋电感模型.为了验证模型,介绍了射频集成电路中的核心模块-低噪声放大器(LNA)-的设计实例.测试结果表明,该模型具有高效、实用的特点.
CMOS、射频集成电路、高频模型、螺旋电感、低噪声放大器
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TN432;TN722.3(微电子学、集成电路（IC）)
2004-02-20（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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