10.3969/j.issn.1004-3365.2002.05.009
亚微米CMOS IC中自对准硅化物工艺的研究
自对准硅化钛工艺有许多重要的优点.但也存在栅氧化物的完整性、硅化物桥接短路、pn结损伤、二极管特性退化等问题.文章针对这些问题,在硅化前和硅化后的清洗、硅化的快速退火处理、接触电阻最佳化以及在硅化物上的接触孔腐蚀的选择性等方面进行了改进,有效地解决了问题.
亚微米集成电路、VLSI制造、自对准硅化物、硅化物、CMOS器件、IC工艺
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TN47(微电子学、集成电路（IC）)
2004-02-20（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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355-356,361
