10.3969/j.issn.1004-3365.2002.05.007
MOS器件中寄生双极型晶体管模型参数的提取
在晶体管GP模型基础上,采用Silvoca公司的UTMOST模型参数提取程序,得到一种双极型晶体管模型参数的提取方法.用此方法对PCM测试芯片的寄生三极管进行参数提取和模拟,模拟结果与测试结果符合得较好.
MOS器件、双极型晶体管、参数提取、局部优化、全局优化
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TN43(微电子学、集成电路(IC))
2004-02-20(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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