10.3969/j.issn.1004-3365.2002.03.013
集成电路制造技术展望
简要论述了集成电路的发展和特大规模集成电路中部份硅生产工艺技术近几年的发展趋势.特大规模集成电路仍然朝着较大直径的硅单晶片和较小的特征尺寸方向发展.当特大规模集成电路特征尺寸在0.1 μm以下时,角度限制散射投影电子束光刻和极紫外线光刻以及离子投影光刻等光刻技术是较佳候选者.离子注入掺杂技术将向高能量与低能量离子注入领域发展.淀积可靠耐用的TiN薄膜阻挡层是下一步溅射工艺的发展目标.集成电路的生产将向自动化方向发展.
集成电路、硅圆片、芯片制作、光刻
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TN405(微电子学、集成电路（IC）)
2004-02-20（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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