10.3969/j.issn.1004-3365.2002.03.005
低功耗CMOS工艺中NMOS管阈值电压偏移的研究
研究了在LPLV CMOS工艺中,用表面沟PMOS管工艺使NMOS管的阈值电压发生偏移的问题.在使用表面沟PMOS管的LPLV CMOS工艺中,NMOS管的多晶栅中的杂质不能达到均匀的分布,导致阈值电压发生偏移.文章提出了三个解决方案,并对其可行性进行了研究.
半导体工艺、工艺模拟、低功耗器件、阈值电压偏移
32
TN432(微电子学、集成电路（IC）)
2004-02-20（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共3页
175-177
