10.3969/j.issn.1004-3365.2002.02.010
Si1-xGex/Si应变材料的生长及热稳定性研究
利用分子束外延(MBE) 技术生长了Ge组份为0.1～0.46的Si1-xGex外延层.X射线衍射测试表明,SiGe/Si异质结材料具有良好的结晶质量和陡峭界面,其它参数也可准确控制.通过X射线双晶衍射摇摆曲线方法,研究了经700 °C、800 °C和900 °C退火后应变SiGe/Si异质结材料的热稳定性.结果表明,随着退火温度的提高,应变层垂直应变逐渐减小,并发生了应变驰豫,导致晶体质量退化;且Ge组分越小,Si1-xGex应变结构的热稳定性越好;室温下长时间存放的应变材料性能稳定.
SiGe、应变材料、分子束外延、X射线双晶衍射
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TN304(半导体技术)
国家重点实验室基金99Js095.1
2004-02-20（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共4页
120-123
