10.3969/j.issn.1004-3365.2002.02.001
发展中的SiCOI技术
SiCOI技术是SiC材料与SOI技术结合而形成的一种新的微电子技术,它的产生与发展不仅推动SiC半导体技术的发展,还将弥补Si SOI技术应用的局限性,并将在高温、高频、大功率、抗辐射等电子学领域得到应用和发展.文章介绍了近年来SiCOI技术的最新进展和简要评述.
绝缘层上碳化硅、注氧隔离、晶片键合、智能剥离、蓝宝石上碳化硅
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TN304.2+4(半导体技术)
2004-02-20(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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