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10.3969/j.issn.1004-3365.2001.06.014

介质隔离高稳定低噪声对管电路的工艺研究

引用
文章采用先进的全介质隔离、高频低噪声、浅结工艺研制高稳定性低噪声对管电路.该器件具有两管电流放大系数对称性好(hFE=97%)、噪声系数低(NF≤3 dB)、隔离度高(g≥40 dB)、共模抑制比高(CMRR≥80 dB)和截止频率高(fr≥600 MHz)等优点.

介质隔离、对管、半导体工艺

31

TN431.2(微电子学、集成电路(IC))

2004-02-20(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

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微电子学

1004-3365

50-1090/TN

31

2001,31(6)

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