10.3969/j.issn.1004-3365.2001.06.006
半导体功率器件热膨胀特性的全息干涉测试
采用全息干涉技术对半导体功率器件通电运行中的热变形进行了研究,测量了器件的离面位移分布及其弯曲挠度.通过改变功率数值或对样品的装配务件,探索功率、工作条件、夹持应力等因素对器件及芯片区域变形产生的影响;对器件的变形模式及其现象的因果关系进行了分析和讨论.
半导体器件、功率器件、热变形、全息干涉法
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TB877(摄影技术)
国家自然科学基金69776029;北京市教委科技发展计划项目00KJ-094
2004-02-20（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共4页
407-409,413
