10.3969/j.issn.1004-3365.2001.05.010
一种用于16位A/D转换器的2μm CMOS 工艺
介绍了一种CMOS 16位A/D转换器的工艺技术.该技术采用2 μm硅栅自对准CMOS工艺、全离子注入和快速热退火.并分别用P阱和双阱工艺、多晶硅栅注砷和注BF2制作了电路样品.两种工艺均能满足16位A/D转换器的要求,但P阱工艺样品的转换速度优于双阱工艺的样品.
CMOS工艺:硅栅自对准、A/D转换器
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TN432(微电子学、集成电路(IC))
2004-02-20(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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