10.3969/j.issn.1004-3365.2001.04.021
C波段8 W功率GaAs MESFET的设计和制作技术
采用自行研制的两只C波段5.2～5.8 GHz 4 W以上的GaAs MESFET功率管芯，通过设计适当的匹配网络、优化网络元件参数，结合工艺制作技术，实现了C波段5.2～5.8 GHz 8 W GaAs MESFET功率管。该功率管在5.2～5.8 GHz频带内的功率增益约为7.0 dB，1 dB的压缩功率约为39 dBm，功率附加效率约为30％。功率管的测量值与计算值基本吻合。
GaAs、MESFET、大功率晶体管、微波器件
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TN432;TN304.2+3(微电子学、集成电路（IC）)
2004-02-20（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共6页
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