10.3969/j.issn.1004-3365.2001.04.006
一种4 k位串行铁电不挥发存储器的VLSI实现
文章提出了一个基于VLSI的4 k位串行铁电不挥发存储器的实现方案。该电路采用2T-2C的存储单元设计，针对铁电电容的读出和写入的电流电压特性设计了相应的读写时序，给出了状态机的描述和相应的电路实现。该电路与通用的E2PROM 24C04在接口、电学特性上完全兼容，可以在24C04的电路应用中直接代替之。
FRAM、2T-2C存储单元、铁电电容、VLSI
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TN304.9;TN79+1(半导体技术)
国家自然科学基金69876008;国家高技术研究发展计划863计划;AM基金
2004-02-20（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共6页
255-259，275
