10.3969/j.issn.1004-3365.2001.04.001
SiC器件与电路的若干关键技术
SiC器件可以稳定工作于高温、高频、强辐射条件下的能力已经得到证实。在许多应用领域和系统中，SiC已经成为进一步提高性能的理想材料。但是，在SiC器件及其电路的数量按比例增长并被融入电子系统之前，晶体生长和器件制造等技术必须得到进一步的发展。文章报道了SiC技术的最新进展情况。
碳化硅、化学气相淀积、半导体器件、集成电路
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TN304.2+4(半导体技术)
国家自然科学基金69776023;教育部跨世纪优秀人才培养计划;国防科技预研基金
2004-02-20（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共7页
233-238，251
