10.3969/j.issn.1004-3365.2001.02.016
Burn-in对CMOS器件电离辐射效应的影响
MOS管或IC在辐照以前，使其在较长时间内(约200h)处于一定的高温(120。C)下并加偏压。这一作用会改变器件对电离辐射的响应。器件会产生更大的N管阈值电压漂移，IC会产生更大的漏电流(一个量级以上)，减小器件的时间参数退化。Burn-in效应具有很重要的辐射加固方面的意义：1)不考虑这个因素会过高估计器件的时间参数的衰退，从而淘汰掉一些可用的器件；2)对IC的静态漏电流估计不足可导致器件提前失效。
Burn-in效应、CMOS器件、电离辐射效应、辐射加固
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TN432(微电子学、集成电路（IC）)
2004-02-20（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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