10.3969/j.issn.1004-3365.2001.01.013
一种采用微小通孔的双层布线技术
文中介绍了分别采用聚酰亚胺和CVDSiO2作层间介质,进行2μm×2μm通孔的刻蚀和铝双层布线,其成品率均可达到100%,介质对一次铝的覆盖完整率可达95%以上,层间绝缘电压大于250V。
双层布线、聚酰亚胺、层间介质、SiO2、微小 通孔
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TN405.97(微电子学、集成电路(IC))
2004-02-20(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共3页
46-48
10.3969/j.issn.1004-3365.2001.01.013
双层布线、聚酰亚胺、层间介质、SiO2、微小 通孔
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TN405.97(微电子学、集成电路(IC))
2004-02-20(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”
国家重点研发计划资助 课题编号:2019YFB1406304
National Key R&D Program of China Grant No. 2019YFB1406304
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