10.3969/j.issn.1004-3365.2000.06.015
SiC器件工艺的发展状况
碳化硅(SiC)是一种宽禁带半导体材料,适用于制作高压、高功率和高温器件,并可工作在从直流到微波频率范围.文章阐述了SiC材料的性质,详细介绍了SiC器件工艺(掺杂、刻蚀、氧化及金属半导体接触)的最新进展,并指出了存在的问题及发展趋势.
碳化硅器件、器件工艺、半导体材料
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TN304.2+4(半导体技术)
Progresses in SiC Device Technology
2004-02-20（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共4页
422-425
