10.3969/j.issn.1004-3365.2000.06.013
多晶硅薄膜的等离子氢化新工艺
根据多晶硅薄膜氢化的微观机理,提出改进氢化效果的工艺方法.在不增加设备投资的情况下,采用该方法能够明显提高多晶硅薄膜的氢化效果,从而提高薄膜晶体管的性能,ION/IOFF从103量级增加到105量级,氢化工艺的处理时间也相应缩短.
多晶硅薄膜、氢化工艺、薄膜晶体管、等离子氢化
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TN304.055(半导体技术)
2004-02-20(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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