10.3969/j.issn.1004-3365.2000.05.015
用PECVD制备掺氟氧化硅低介电常数薄膜
用PECVD淀积了低介电常数的掺氟氧化硅介质薄膜,SiF4的流量达到60 sccm时,薄膜的相对介电常数可以降低到3.2.对试样的FTIR分析表明,薄膜中大部分的氟以Si-F键形式存在.C-V特性测试表明, 薄膜介电常数随氟含量的增加而减小,但薄膜的吸水性随氟含量的增加而变大.并进一步讨论了介电常数和薄膜稳定性与薄膜中氟原子含量之间的内在联系.
化学气相淀积、掺氟氧化硅、低介电常数薄膜、傅里叶变换红外光谱
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TN405(微电子学、集成电路（IC）)
中国科学院资助项目69776026
2004-02-20（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共4页
347-350
