10.3969/j.issn.1004-3365.2000.05.014
准分子激光诱导非晶硅晶化制备多晶硅薄膜晶体管
讨论了用准分子激光诱导非晶硅晶化法制备多晶硅薄膜晶体管的结构与工艺优化问题.用XeCl准分子激光器对PECVD法生长的非晶硅薄膜进行了诱导晶化处理,成功制备了多晶硅薄膜晶体管,获得最大场效应迁移率为14.5 cm2/V·s, 亚阈值斜率为1.9 V/dec,开关电流比为1.0×106的器件性能.
准分子激光、非晶硅、晶化、多晶硅薄膜晶体管
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TN305(半导体技术)
2004-02-20（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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