10.3969/j.issn.1004-3365.2000.04.019
不掺杂In2O3透明导电薄膜的制作
采用反应蒸发技术制作不掺杂In2O3透明导电薄膜,薄膜厚度为150～200nm、方块电阻为60～200Ω/□、透光率为80%～94%(波长λ＝600nm).讨论了蒸发过程氧气充入量和蒸发时间对薄膜的光电特性的影响,说明低蒸发速率和限制氧气流量是获得优质薄膜的关键.
透明导电薄膜、In2O3、方块电阻
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TN304.2(半导体技术)
2004-02-20（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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