10.3969/j.issn.1004-3365.2000.04.013
槽栅MOS器件的研究与进展
随着VLSI器件尺寸越来越小,槽栅MOS器件被作为在深亚微米及亚0.1μm范围极具应用前景的理想结构被提了出来.文中介绍了槽栅器件提出的背景,论述了槽栅MOS器件的结构与特点,并就其发展现状和趋势以及存在的问题进行了概括和总结.
槽栅MOSFET、深亚微米器件、小尺寸效应、拐角效应
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TN432(微电子学、集成电路(IC))
国防科研项目
2004-02-20(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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258-262