10.3969/j.issn.1004-3365.2000.03.002
SiGe/Si异质结双极晶体管研究
介绍了一种SiGe/Si分子束外延异质结双极晶体管(HBT)的研制.该器件采用3 μm工艺制作,测量得其电流放大系数β为50,截止效率fT为5.1 GHz,表明器件的直流特性和交流特性良好.器件的单片成品率在90%以上.
分子束外延、异质结双极晶体管、半导体器件、锗-硅合金
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TN325(半导体技术)
2004-02-20(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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