10.3969/j.issn.1004-3365.2000.02.009
一种提高硅双极器件频率和功率的新技术
提出了一种能同时提高硅双极器件频率和功率的新技术--具有深阱终端结构的新型梳状深阱结构技术.采用MEDICI模拟分析表明,该技术可将双极器件的击穿电压BVCB0提高到平行平面结的90%以上;可减小寄生效应和漏电流,有助于提高小电流β0;可适当地增加集电区掺杂浓度,减小τd,同时提高ICM和P0.采用该技术后,有效集电结的面积约为无阱器件的50%,结电容较小,截止频率可提高一倍以上.该技术大大缓解了频率和功率的矛盾,提高了器件的可靠性.
硅双极器件、高频大功率器件、深阱终端结构
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TN303(半导体技术)
2007-05-28（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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