10.3969/j.issn.1004-3365.2000.02.003
用于HBT的SiGe合金材料层的腐蚀工艺研究
探索利用反应离子刻蚀(RIE)和湿法腐蚀Si1-xGex合金材料的工艺条件.对两种腐蚀方法的利弊进行了对比,找出腐蚀Si1-xGex合金材料的实用化途径,并且解决了不同Ge含量的Si1-xGex合金材料的腐蚀速度控制.
硅-锗合金、反应离子刻蚀、异质结双极晶体管、分子束外延
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TN405.98+3(微电子学、集成电路（IC）)
2007-05-28（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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