10.3969/j.issn.1004-3365.2000.01.020
一种实用化的互补双极工艺技术
在3 μm工艺条件下开发了一套实用的互补双极工艺(CB).利用此工艺制造出特征频率分别为3.2 GHz和1.6 GHz的高性能NPN与PNP管,并成功地集成在压摆率高达2200 V/μs的高速运算放大器芯片中.
互补双极工艺、双极工艺、半导体制造、半导体器件、运 算放大器
30
TN405(微电子学、集成电路(IC))
2004-02-20(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共3页
66-68